魏伟伟（1994.11-），男，安徽马鞍山人，现任安徽工程大学电气工程学院讲师、硕士生导师。2024年毕业于上海大学电力电子与电力传动专业，获工学博士学位。主要面向功率半导体器件、电力电子变换器与分布式能源系统的安全可靠运行，围绕器件可靠性、变换器健康管理与能源系统优化运行三个层级开展研究，重点涉及SiC MOSFET、IGBT等功率器件的退化机理与状态感知，功率半导体检验检测技术与装备，电力电子变换器故障诊断与健康管理，以及储能系统和交直流微电网的状态估计、运行控制与优化调度。
主持国家自然科学基金青年科学基金项目（C类）、企业产学研合作项目、安徽工程大学科研启动项目等多项科研项目；并作为骨干成员参与国家自然科学基金联合基金重点项目、国家重点研发计划项目子课题、安徽省优秀科研创新团队项目，以及军工和企业重大技术研发项目。
近年来，以第一作者或通信作者在IEEE Transactions on Power Electronics、IEEE Transactions on Electron Devices等本领域国际顶级学术期刊发表多篇论文，累计发表SCI/EI收录论文20余篇；申请国家发明专利十余项，其中两项已实现成果转化。相关成果获2022年度中国仪器仪表学会科技进步二等奖，2020~2023年连续四年获得台达奖学金资助。受邀担任IEEE Transactions on Power Electronics、IEEE Sensors Journal、Microelectronics Reliability等国际期刊审稿人。
现任池州平天湖半导体研究院有限公司董事，参与功率半导体可靠性试验、检验检测与失效分析平台建设，推动器件测试评价、状态监测及可靠性检测装备等科研成果与产业需求衔接。
教学与人才培养
主要承担《电力电子技术》《电力系统分析》等课程教学，注重结合科研与工程案例开展教学，指导本科生和研究生进行实验测试、建模分析及相关科研训练。
研究方向与招生
1. 功率半导体器件可靠性与检验检测技术：SiC MOSFET、IGBT等功率器件的退化机理、状态感知、结温监测、寿命预测及测试装备。
2. 电力电子变换器状态监测与健康管理：关键电热参量在线获取、故障诊断、可靠性评估与健康管理。
3. 分布式能源系统与交直流微电网运行控制：储能系统状态估计与故障诊断、微电网能量管理及优化调度。
欢迎具有电气工程、电子信息、集成电路、自动化等专业背景，对功率半导体、电力电子、储能技术或分布式能源系统感兴趣的硕士研究生加入，同时欢迎本科生进入课题组开展科研训练、大学生创新创业项目及毕业设计。
科研项目：
1. 机理与数据融合驱动的SiC MOSFET多物理场服役可靠性演化与寿命预测，国家自然科学基金青年科学基金项目（C类）（主持，在研）
2. 碳化硅MOSFET技术研发，安徽芯塔电子科技有限公司（主持，在研）
3. SiC MOSFET可靠性状态在线监测方法研究，安徽工程大学科研启动和人才培育基金（主持，在研）
4. 面向大尺寸芯片量产良率的AI辅助可诊断性设计与缺陷根因分析关键技术研究，国家自然科学基金区域联合重点项目（参与，在研）
5. 碳化硅功率芯片技术研发，安徽安芯电力科技股份有限公司（项目总经费500万元）（参与，在研）
6. 车能融合系统优化与控制团队，安徽省教育厅优秀科研创新团队（参与，在研）
7. IGBT模块温度预测与电力电子总成行为模型分析，国家重点研发计划《高功率密度车用逆变器产品平台开发及产业化》子课题（参与，已结题）
8. 复杂工况下电动轮趋/制动性能测试方法研究，国家重点研发计划《高效轻量化轮毂直驱电动轮总成关键技术研究》子课题（参与，已结题）
9. 电源控制器关键器件健康状态监测技术研究，上海空间电源研究所，军工项目（参与，已结题）
代表性专利及成果转化：
1. 魏伟伟，林信南；功率 MOSFET 栅氧老化状态评估装置、方法及介质，202510381963.9，已完成专利申请权作价入股，作价金额180万元；
2. 魏伟伟，林信南；一种 IGBT 模块键合线老化状态评估装置、方法及介质，202510383015.9，已完成专利申请权作价入股，作价金额180万元。
部分论文成果：
1. W. Wei, X. Lin, H. Liu, S. Liu, G. Xu,Gate Oxide Degradation Detection in SiC MOSFETs Using Turn-on Time Derived Junction Temperature Deviation, IEEE Transactions on Power Electronics (一作，JCR Q1).
2. W. Wei, W. Zhu, T. Liu and G. Xu, Junction Temperature Online Extraction Method for Power MOSFET by Current Fall Time, IEEE Transactions on Electron Devices. (一作，JCR Q2)
3. W. Wei, Y. Hu, S. Liu, Y. Wang, Q. Huang, Z. Fan, G. Xu, Online Junction Temperature Detection for IGBTs Using Voltage Rise Time, IEEE Transactions on Electron Devices(一作，JCR Q2)
4. W. Wei, S. Liu, X. Lin, H. Liu, S. Li, G. Xu, Online Extraction of IGBT Voltage Rise Time in Bridge Circuits, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Industrial Electronics. （一作，JCR Q2）
5. W. Wei, G. Xu and W. Feng, Online Measurement of Power MOSFET Junction Temperature With Storage Charge During Current Fall Process, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. (一作，JCR Q2)
6. W. Wei, S. Liu, G. Xu, H. Liu, Online Extraction of Power MOSFET Junction Temperature Using Calculated Turn-off Time, Microelectronics Reliability. (一作，JCR Q3)
7. L. Shao, G. Xu, W. Wei*, Research on the Estimation Method for the Remaining Useful Life of Si MOSFET Based on Degradation Models and Its Deep Thoughts on Technical Educational Requirements, Journal of Power Electronics. (通讯，JCR Q4)
8. X. Lin, Z. Wu, W. Wei and G. Xu, A Review of Active Thermal Control for Power Devices: Advances, Challenges, and Applicability in Intelligent Power Modules IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics (三作，JCR Q1)
9. X. Lin, G. Xu and W. Wei, Online Detection of IGBT Voltage Rise Time Based on RC Circuit Current, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (三作，JCR Q1)
10. Y. Zhang, S. Liu, W. Wei, S. Li, L. Fang, Data-driven models with novel feature factors for sensorless prediction of lithium battery internal temperature, Journal of Energy Storage(三作，JCR Q1)
获奖情况：
1. 2022年获得中国仪器仪表学会科技进步二等奖，“在役电力电子器件老化可靠性状态智能在线监测与寿命预测关键技术”；
2. 博士期间（2020~2023年）连续四年获得台达企业奖学金资助